CXMT低良率推进HBM3E试产
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CXMT低良率推进HBM3E试产
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AI 综述
据路透报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已向中国多家AI芯片设计公司提供HBM3E样品，并计划在两个月内启动有限量产。报道称，其HBM3E良率目前仅约20%至30%，而SK海力士约为70%。 这意味着CXMT在良率明显低于主要竞争对手的情况下推进HBM3E试产，初期量产规模将受限。
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最新进展10月29日 15:26
CXMT 良率仅 20% 仍推进 HBM3E 量产，SK 海力士良率约 70%报道时间线
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10月29日
- AI Times KoreaCXMT 良率仅 20% 仍推进 HBM3E 量产，SK 海力士良率约 70%
据路透报道，CXMT 已向中国多家 AI 芯片设计公司提供 HBM3E 样品，计划两个月内启动有限量产，但其良率仅约 20~30%，而 SK 海力士约为 70%。
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